Bauteiltester


	Mein Aufbau des automatischen Bauteiltesters. Der Messvorgang beginnt mit Drücken der Start-Taste (nach ca. 10 Sekunden wird das Gerät automatisch abgeschaltet), auf dem Display werden die verschiedenen ermittelten Daten angezeigt. Die Anschlussbelegung des pnp-Transistors ist in diesem Fall Basis an 2, Kollektor an 1, Emitter an 3.

Markus Frejek hat rund um einen AVR-Microkontroller ATMEGA8 eine verblüffende Schaltung entwickelt, die mit wenig Aufwand die Daten und Anschlussbelegung verschiedener elektronischer Bauteile ermittelt. Eine ausführliche Beschreibung einschliesslich Hintergrundinformationen zum Messprinzip und seiner hard- und softwaremäßigen Realisierung gibt es vom Autor in [1], der Quellcode ist ebenfalls frei verfügbar.

Erkannte Bauteile:

Displayanzeige	Bauteil	angezeigte Messwerte	Bemerkung
Widerstand	Widerstand	Ω, kΩ	ca. 1 Ω ... 15 MΩ
Kondensator	Kondensator	nF, µF	ca. 200 pF ... 7300 µF
Diode	Diode	Uf [mV] - Durchflussspannung
2 Dioden in Serie	2 Dioden in Serie
2 Dioden antiparallel	2 antiparallele Dioden	-
Doppeldiode CA	Doppeldiode, gemeinsame Anode	-
Doppeldiode CC	Doppeldiode, gemeinsame Kathode	-
Triac	Triac
Thyristor	Thyristor
NPN	npn-(Bipolar-) Transistor	hFE - Verstärkungsfaktor (B, h_fe) Uf - Basis-Emitter-Durchlassspannung (U_BE) Diodensymbol bei Schutzdiode	h_{fe = 0 bei Darlington-Transistoren}
PNP	pnp-(Bipolar-) Transistor	hFE - Verstärkungsfaktor (B, h_fe) Uf - Basis-Emitter-Durchlassspannung (U_BE) Diodensymbol bei Schutzdiode	h_{fe = 0 bei Darlington-Transistoren}
N-E-MOS	n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET	C [nF] - Gate-Kapazität Diodensymbol Vt - Gate-Schwellspannung	= Metall-Oxid-Halbleiter- Feldeffekttransistor normal sperrend, selbstsperrend MOSFET enh Bsp. IRF510
P-E-MOS	p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET		normal sperrend, selbstsperrend MOSFET enh
N-D-MOS	n-Kanal-Verarmungs-MOSFET		normal leitend, selbstleitend MOSFET dep
P-D-MOS	p-Kanal-Verarmungs-MOSFET		normal leitend, selbstleitend MOSFET dep
N-JFET	n-Kanal-JFET		= Sperrschicht-Feldeffekt- transistor (SFET) Drain und Source möglicherweise vertauscht Bsp. BF245, BF256
P-JFET	p-Kanal-JFET		= Sperrschicht-Feldeffekt- transistor (SFET) Drain und Source möglicherweise vertauscht


	Schaltplan des Bauteiltesters:


	(c) Markus Frejek


	Für meinen Aufbau habe ich mir eine Leiterplatte nach einen Platinenentwurf der IAK hergestellt. [2]

Nicht gerade eine Ingenieur- sondern eine “Küchentisch”arbeit, aber es funktioniert.

Die Transistoren und die 100 nF-Konden- satoren habe ich etwas gewaltsam heruntergebogen, damit sich das Kunststoffhalbschalengehäuse schließen lässt.

Das hintergrundbeleuchtete blaue Display wie auch die LED zeigen nur wenig Helligkeit, das Display ist aber bei normaler Umgebungshelligkeit gut abzulesen.

[1] Markus Frejek: AVR-Transistortester. URL: http://www.mikrocontroller.net/articles/AVR-Transistortester. Ausführliche Schaltungsbeschreibung und Firmware des Entwicklers. Der Thread dazu http://www.mikrocontroller.net/topic/131804.

[2] IAK (Interessengemeinschaft Amateurfunk Köln-Wahn): Vielseitiger Bauteiltester. URL: http://www.df0fkw.datenoase.de/index.php?option=com_content&view=article&id=112:vielseitiger-bauteiltester&catid=36:bastelprojekte&Itemid=67. Platinenentwurf für den Komponententester, Projektmappe von Jens, DB3JHF.


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